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型号 SI5906DU-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
SI5906DU-T1-GE3 PDF
代理商 SI5906DU-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 31 毫欧 @ 4.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 8.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 300pF @ 15V
功率 - 最大 10.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装 PowerPAK? ChipFet 双
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI5906DU-T1-GE3CT
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